電子百科

薩科微電子百科，分享與科普半導(dǎo)體電子產(chǎn)品知識(shí)，為新老客戶(hù)及各電子工程師答疑解惑。

更新日期： 2024-04-10
瀏覽次數(shù)： 2914

SiC是由硅（Si）和碳（C）組成的化合物半導(dǎo)體材料。它具有強(qiáng)大的結(jié)合性質(zhì)，在熱、化學(xué)和機(jī)械方面非常穩(wěn)定。SiC存在各種多型體，每種多型體的物理特性都不同。其中，4H-SiC多型體最適合功率器件。

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整流橋的應(yīng)用

更新日期： 2023-04-12
瀏覽次數(shù)： 2715

整流橋可將交流發(fā)動(dòng)機(jī)產(chǎn)生的交流電轉(zhuǎn)變?yōu)橹绷麟姡詫?shí)現(xiàn)向用電設(shè)備供電和向蓄電池進(jìn)行充電。限制蓄電池電流倒轉(zhuǎn)回發(fā)動(dòng)機(jī)，保護(hù)交流發(fā)動(dòng)機(jī)不被燒壞。

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對(duì)穩(wěn)壓二極管如何進(jìn)行識(shí)別判斷？

更新日期： 2023-04-10
瀏覽次數(shù)： 3288

穩(wěn)壓二極管根據(jù)擊穿電壓來(lái)分檔，也正是它的這種特性，穩(wěn)壓管主要被作為穩(wěn)壓器或電壓基準(zhǔn)元件使用。然而穩(wěn)壓二極管也是有所區(qū)分的，對(duì)穩(wěn)壓二極管如何進(jìn)行識(shí)別判斷？

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更新日期： 2023-03-30
瀏覽次數(shù)： 2825

肖特基勢(shì)壘二極管相關(guān)的物理機(jī)制可根據(jù)哪些特性參量考量，肖特基勢(shì)壘二極管的電學(xué)特性?xún)?yōu)劣的主要參數(shù)有正向?qū)妷骸⒎聪蚵╇娏髅芏燃皳舸╇妷骸?/div>

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肖特基勢(shì)壘二極管的等效電路和伏安特性

更新日期： 2023-03-29
瀏覽次數(shù)： 4210

不同材料和結(jié)構(gòu)的肖特基勢(shì)壘二極管電路形式一樣，元件的具體參數(shù)不同。接下來(lái)我們來(lái)了解一下肖特基二極管的等效電路和伏安特性。

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薩科微肖特基勢(shì)壘二極管基本結(jié)構(gòu)

更新日期： 2023-03-29
瀏覽次數(shù)： 2497

薩科微Slkor肖特基二極管在風(fēng)力發(fā)電、電源設(shè)備、充電樁等多個(gè)領(lǐng)域都有著廣泛應(yīng)用，由于肖特基二極管的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)，在這些領(lǐng)域都能起到不錯(cuò)的作用，接下來(lái)我們一起了解一下肖特基二極管的結(jié)構(gòu)是怎樣的。

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肖特基二極管都有哪些優(yōu)點(diǎn)和不足？

更新日期： 2023-03-17
瀏覽次數(shù)： 2933

肖特基二極管是一種熱載流子二極管，在低壓、大電流輸出場(chǎng)合用作高頻整流，IC及TTL集成電路中也有廣泛應(yīng)用。肖特基二極管（SBD）表現(xiàn)出來(lái)的優(yōu)勢(shì)還是比較突出的，自然它也有它的不足之處。

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SBD肖特基勢(shì)壘二極管

更新日期： 2023-03-16
瀏覽次數(shù)： 2501

肖特基二極管是貴金屬（金、銀、鋁、鉑等）A為正極，以N型半導(dǎo)體B為負(fù)極，利用二者接觸面上形成的勢(shì)壘具有整流特性而制成的金屬-半導(dǎo)體器件。

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高頻二極管選型主要看哪些參數(shù)

更新日期： 2023-03-16
瀏覽次數(shù)： 2409

高頻二極管是用于非線性變換電路中的二極管，在開(kāi)關(guān)、檢波、調(diào)制、解調(diào)及混頻等非線性變換電路中應(yīng)用比較廣泛。

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為什么需要DC-DC轉(zhuǎn)換器，它都有哪些功能？

更新日期： 2023-02-13
瀏覽次數(shù)： 2973

因?yàn)榇蟛糠职雽?dǎo)體部件只能在DC下工作。所以插入插座進(jìn)行工作的電氣產(chǎn)品需要使用將AC（交流）100V轉(zhuǎn)換為DC（直流）的"AC/DC轉(zhuǎn)換器"。整機(jī)電路板上搭載的IC等具有各自固有的工作電壓范圍，電壓精度要求也不同。通過(guò)電壓不穩(wěn)的電源等供電會(huì)導(dǎo)致誤動(dòng)作或特性劣化等異常。因此，需使用"DC/DC轉(zhuǎn)換器"轉(zhuǎn)換為所需的電壓并實(shí)現(xiàn)……

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激光二極管的工作原理及注意事項(xiàng)

更新日期： 2023-02-09
瀏覽次數(shù)： 2826

晶體二極管為一個(gè)由p型半導(dǎo)體和n型半導(dǎo)體形成的p-n結(jié)，在其界面處兩側(cè)形成空間電荷層，并建有自建電場(chǎng)。當(dāng)不存在外加電壓時(shí)，由于p-n結(jié)兩邊載流子濃度差引起的擴(kuò)散電流和自建電場(chǎng)引起的漂移電流相等而處于電平衡狀態(tài)。

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