服務(wù)熱線
0755-83044319
碳化硅SiC能夠以高頻肖特基勢(shì)壘二極管SBD結(jié)構(gòu)的實(shí)現(xiàn)600V以上的高耐壓快恢復(fù)二極管（硅Si的SBD最高耐壓僅為200V左右），其導(dǎo)通壓降比硅Si快恢復(fù)二極管低很多，關(guān)斷恢復(fù)時(shí)間小，關(guān)斷損耗低，產(chǎn)生的電磁干擾EMI小。采用SiC-SBD替換現(xiàn)在主流產(chǎn)品硅Si 快恢復(fù)二極管FRD，可大幅度減少總損耗，提高電源的效率，并且通過(guò)高頻工作實(shí)現(xiàn)電感電容等無(wú)源器件的小型化，而且電磁干擾EMI更低。碳化硅SBD可廣泛應(yīng)用于空調(diào)、電源、光伏發(fā)電系統(tǒng)中的逆變器、電動(dòng)汽車(chē)的電機(jī)拖動(dòng)系統(tǒng)及快速充電器等。
友情鏈接：站點(diǎn)地圖 薩科微官方微博 立創(chuàng)商城-薩科微專(zhuān)賣(mài) 金航標(biāo)官網(wǎng) 金航標(biāo)英文站
Copyright ?2015-2025 深圳薩科微半導(dǎo)體有限公司 版權(quán)所有 粵ICP備20017602號(hào) 
粵公網(wǎng)安備44030002007346號(hào)
