MOS管IRF540NS是一款N溝道MOS場效應(yīng)管，由薩科微Slkor公司生產(chǎn)。其優(yōu)秀的電性能參數(shù)和TO-263封裝設(shè)計使其適用于中高功率電子應(yīng)用。
下載數(shù)據(jù)手冊 在線咨詢產(chǎn)品名稱：MOS管IRF540NS
生產(chǎn)商：薩科微Slkor
產(chǎn)品類型：N溝道
電性能參數(shù)：
漏源電壓（Vdss）： 100V
連續(xù)漏極電流（Id）： 33A
導(dǎo)通電阻（RDS(on)@Vgs, Id）： 30mΩ @ 10V, 15A
閾值電壓（Vgs(th)@Id）： 4.0V @ 250uA
封裝規(guī)格：
封裝類型： TO-263
產(chǎn)品特性與應(yīng)用：
MOS管IRF540NS是一款N溝道MOS場效應(yīng)管，由薩科微Slkor公司生產(chǎn)。其優(yōu)秀的電性能參數(shù)和TO-263封裝設(shè)計使其適用于中高功率電子應(yīng)用。
主要特性：
高電壓承受能力： 漏源電壓（Vdss）為100V，適用于對電壓要求較高的電路設(shè)計。
高電流承受能力： 連續(xù)漏極電流（Id）為33A，適用于中高功率應(yīng)用場景。
低導(dǎo)通電阻： 在10V電壓和15A電流下，導(dǎo)通電阻為30mΩ，有助于降低功耗和提高效率。
相對較高的閾值電壓： 閾值電壓（Vgs(th)@Id）為4.0V @ 250uA，有助于確保精確的電路控制。
封裝優(yōu)勢：
TO-263封裝提供了*的散熱性能和適中的尺寸，適用于各種中高功率電路設(shè)計。其外形符合標(biāo)準(zhǔn)，方便安裝和維護。
應(yīng)用領(lǐng)域：
MOS管IRF540NS廣泛應(yīng)用于多種中高功率電子應(yīng)用，包括但不限于：
電源開關(guān)： 適用于中高功率電源開關(guān)電路。
電機控制： 在中高功率電機控制電路中，可實現(xiàn)有效的電流控制。
電源逆變器： 用于中高功率電源逆變器的輸出控制。
安全與可靠性：
MOS管IRF540NS經(jīng)過嚴(yán)格的質(zhì)量控制和測試，確保在各種工作條件下穩(wěn)定可靠。請按照產(chǎn)品規(guī)格書和應(yīng)用注意事項正確使用。
總結(jié)：
MOS管IRF540NS以其優(yōu)秀的電性能和TO-263封裝設(shè)計，為中高功率電子系統(tǒng)提供了可靠的解決方案。在需要高電壓承受能力和高電流承受能力的場景下，IRF540NS是一個值得考慮的選擇。
| 文件名稱 | 標(biāo)題 | 說明 |
|---|---|---|
| IRF540NS TO-263.pdf | IRF540NS TO-263 | - |
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SL2308是一款N溝道中壓MOS管，適用于各種中壓應(yīng)用。其漏源電壓為60V，連續(xù)漏極電流為1.8A，可滿足各種中壓應(yīng)用需求。此外，SL2308采用*技術(shù)，具有低導(dǎo)通電阻，即135mΩ@10V,1.8A的RDS(on)@Vgs,Id，可實現(xiàn)更高效能的能量轉(zhuǎn)換，提高系統(tǒng)效率。在中壓應(yīng)用中，它能夠提供可靠的開關(guān)操作，使其適用于DC-DC轉(zhuǎn)換器、高效能電源管理、LED照明等領(lǐng)域。
SL60N06是一款中壓N溝道MOSFET，具有漏源電壓高達60V和60A的連續(xù)漏極電流，可提供高性能的電源控制和轉(zhuǎn)換功能。
SL3401低壓MOS管和SL17N06D中壓MOS管是薩科微Slkor生產(chǎn)的兩款功率MOSFET，分別適用于不同的電壓和電流需求。SL3401以其低導(dǎo)通電阻適用于低壓應(yīng)用，而SL17N06D則以其較高的電壓承受能力適用于中壓應(yīng)用。這兩款MOS管均以其高效率和可靠性，滿足現(xiàn)代電子設(shè)計的需求。
薩科微slkor中壓MOS管SL2308A是一款專為中壓應(yīng)用設(shè)計的N溝道MOSFET，其結(jié)合了優(yōu)化的電氣性能與緊湊的封裝形式，專為需要精細電流控制和高效能源管理的電子設(shè)備而打造。該MOS管具備60V的漏源電壓(Vdss)和3A的連續(xù)漏極電流(Id)能力，適用于多種中壓電路中的開關(guān)、放大和調(diào)節(jié)功能。
薩科微slkor中壓MOS管SL2P10A是一款專為低功耗應(yīng)用設(shè)計的P溝道MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）。該器件以其*的電氣性能和可靠性，成為眾多電子設(shè)計中的優(yōu)選元件。通過精確控制柵極電壓（Vgs），SL2P10A能夠高效地調(diào)節(jié)漏極至源極之間的電流（Id），適用于需要精細電流控制的場合。
類型：N溝道 漏源電壓(Vdss)：100V 連續(xù)漏極電流(Id)：150mA 功率(Pd)：250mW 導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs,Id)：3.5Ω@10V,120mA 閾值電壓(Vgs(th)@Id)：2.8V@1mA 輸入電容(Ciss@Vds)：40pF@25V 工作溫度：+150℃@(Tj)
SL80N10是一款中壓N溝道MOS管，具有漏源電壓100V，連續(xù)漏極電流80A的特點，可用于高功率DC-DC轉(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動器和電源開關(guān)等應(yīng)用場合。該產(chǎn)品導(dǎo)通電阻低、輸入電容小、反向傳輸電容小，具有*的開關(guān)性能和瞬態(tài)特性。SL80N10采用TO-220封裝，適用于高功率應(yīng)用。
SL60N10Q中壓MOS管是由薩科微Slkor生產(chǎn)的高性能功率MOSFET，專為滿足高效率和高可靠性的電源轉(zhuǎn)換需求而設(shè)計。這款MOSFET以其優(yōu)越的電氣特性和穩(wěn)健的物理結(jié)構(gòu)，在中壓應(yīng)用領(lǐng)域中表現(xiàn)*。
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